ON Semiconductor Corporation zaznamenal nárůst akcií o 3 % po oznámení o nové spolupráci s GlobalFoundries při vývoji a výrobě technologií na bázi gallium nitride (GaN).
Spolupráce se soustředí na 650V GaN produkty a kombinuje 200mm eMode GaN-on-silicon proces od GlobalFoundries s technologiemi ON Semiconductor pro ovládací obvody a balení. Obě společnosti plánují zahájit dodávky vzorků v první polovině roku 2026, s následnou sériovou výrobou.
Nové GaN technologie slibují vyšší efektivitu a menší rozměry zařízení, což je klíčové pro datová centra, elektrické automobily a průmyslové aplikace. Průmysloví odborníci tento krok hodnotí jako strategický, který posiluje pozici ON Semiconductor v rychle rostoucích sektorech, kde se zvyšují požadavky na výkon v přísně omezených fyzických rozměrech.
Technologie GaN nabízí několik výhod oproti tradičním polovodičům, jako je vyšší frekvenční provoz a integrovaná funkčnost. Tyto vlastnosti umožňují návrhářům systémů snížit množství komponentů, náklady a zlepšit efektivitu i tepelný výkon.
Sloučená nabídka nových GaN produktů zahrnuje napájecí zdroje, DC-DC konvertory pro datová centra, střídavé nabíječky pro elektrická vozidla a mikroinvertory pro solární systémy.
